半導體元件, 7/e (Streetman: Solid State Electronic Devices, 7/e) 書籍資訊、閱讀筆記、書籍評論與評分

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半導體元件, 7/e (Streetman: Solid State Electronic Devices, 7/e)

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<內容簡介>

本版新增內容
 MOS元件：增加先進元件的解說，包括彈道式(ballistic)FET、鰭式FET、應力式(strained)矽元件、金屬閘高介質(MGHK)元件，以及III-V族高通道遷移率元件。 光電元件：增加寬能隙含氮半導體元件，以及量子疊接雷射。 全新的奈米電子章節：令人震撼的新視野，例如二維結構材料之石墨烯與拓墣絕緣體、一維材料之奈米線，以及零維材料之量子點。 自旋電子學(spintronics)、電阻式記憶體，以及相變化記憶體。 約100道全新習題，以及與新增內容相關的最新參考文獻。

<章節目錄>

第 1 章半導體的晶格特性與成長第 2 章原子和電子第 3 章半導體的能帶與帶電載子第 4 章半導體內的過量載子第 5 章接面第 6 章場效應電晶體第 7 章雙載子接面電晶體第 8 章光電元件第 9 章積體電路第10章高功率高頻奈米電子元件附錄 I 常用符號之定義附錄 II 物理常數及轉換因子附錄 III 半導體材料之性質附錄 IV 導帶能態密度的推導附錄 V 推導費米－迪拉克統計附錄 VI 在 Si (100) 上成長乾式及濕式氧化層厚度為時間和溫度之函數附錄 VII 矽中雜質的固溶率附錄 VIII Si 與 SiO2 中摻雜質的擴散係數附錄 IX 矽中投影範圍和散落為佈植能量的函數自我測驗問題選答

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